包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:OptiMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 3.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 13µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.6nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 100V,功率 - 最大值:34W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-PowerTDFN,供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

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